cmos finfet 文章進(jìn)入cmos finfet技術(shù)社區(qū)

國(guó)產(chǎn)無(wú)反相機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈初現(xiàn)

根據(jù)相機(jī)及影像產(chǎn)品協(xié)會(huì)（CIPA）公布的數(shù)據(jù)，2024 年 1 月至 5 月，中國(guó)市場(chǎng)相機(jī)出貨量全球占比達(dá)到 23.4%，躍居繼美洲之后的全球第二大市場(chǎng)。在智能手機(jī)沖擊下曾一度遇冷的相機(jī)市場(chǎng)，如今因直播電商、短視頻等新興產(chǎn)業(yè)的崛起而重新煥發(fā)生機(jī)。產(chǎn)品創(chuàng)新與流量經(jīng)濟(jì)的交織，正在為傳統(tǒng)行業(yè)打開(kāi)一條全新的消費(fèi)路徑。日本佳能副社長(zhǎng)、執(zhí)行董事小澤秀樹(shù)也表示，2023 年中國(guó)數(shù)碼相機(jī)市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)了 25% 的增長(zhǎng)，其中無(wú)反相機(jī)更是增長(zhǎng)了 31%，預(yù)計(jì) 2024 年這一增長(zhǎng)勢(shì)頭將持續(xù)，無(wú)反相機(jī)的增長(zhǎng)有望達(dá)到 35%。隨著近
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打破索尼壟斷！晶合集成1.8億像素相機(jī)全畫(huà)幅CMOS成功試產(chǎn)：業(yè)內(nèi)首顆

8月19日消息，今日，晶合集成宣布與思特威聯(lián)合推出業(yè)內(nèi)首顆1.8億像素全畫(huà)幅（2.77英寸）CMOS圖像傳感器（以下簡(jiǎn)稱(chēng)CIS），為高端單反相機(jī)應(yīng)用圖像傳感器提供更多選擇。據(jù)了解，晶合集成基于自主研發(fā)的55納米工藝平臺(tái)，與思特威共同開(kāi)發(fā)光刻拼接技術(shù)，克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困難，成功突破了在單個(gè)芯片尺寸上，所能覆蓋一個(gè)常規(guī)光罩的極限。同時(shí)確保在納米級(jí)的制造工藝中，拼接后的芯片依然保證電學(xué)性能和光學(xué)性能的連貫一致。晶合集成表示，首顆1.8億像素全畫(huà)幅CIS的成功試產(chǎn)，既標(biāo)志著光刻拼接技術(shù)在
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業(yè)內(nèi)首顆！國(guó)產(chǎn) 1.8 億像素相機(jī)全畫(huà)幅 CMOS 圖像傳感器成功試產(chǎn)

8 月 19 日消息，晶合集成今日官宣，該公司與思特威聯(lián)合推出業(yè)內(nèi)首顆 1.8 億像素全畫(huà)幅（2.77 英寸）CIS（CMOS 圖像傳感器），為高端單反相機(jī)應(yīng)用圖像傳感器提供更多選擇?！?產(chǎn)品圖，圖源晶合集成，下同據(jù)介紹，為滿(mǎn)足 8K 高清化的產(chǎn)業(yè)要求，高性能 CIS 的需求與日俱增。晶合集成基于自主研發(fā)的 55 納米工藝平臺(tái)，攜手思特威共同開(kāi)發(fā)光刻拼接技術(shù)，克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困難，成功突破了在單個(gè)芯片尺寸上，所能覆蓋一個(gè)常規(guī)光罩的極限，同時(shí)確保在納米級(jí)的制造工藝中，拼接后的芯片依
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英特爾最新的FinFET是其代工計(jì)劃的關(guān)鍵

在上周的VLSI研討會(huì)上，英特爾詳細(xì)介紹了制造工藝，該工藝將成為其高性能數(shù)據(jù)中心客戶(hù)代工服務(wù)的基礎(chǔ)。在相同的功耗下，英特爾 3 工藝比之前的工藝英特爾 4 性能提升了 18%。在該公司的路線圖上，英特爾 3 是最后一款使用鰭片場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET）結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品，該公司于 2011 年率先采用這種結(jié)構(gòu)。但它也包括英特爾首次使用一項(xiàng)技術(shù)，該技術(shù)在FinFET不再是尖端技術(shù)之后很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)對(duì)其計(jì)劃至關(guān)重要。更重要的是，該技術(shù)對(duì)于該公司成為代工廠并為其他公司制造高性能芯片的計(jì)劃至關(guān)重要。它被稱(chēng)為偶極子功
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使用先進(jìn)的SPICE模型表征NMOS晶體管

為特定CMOS工藝節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)的SPICE模型可以增強(qiáng)集成電路晶體管的模擬。了解在哪里可以找到這些模型以及如何使用它們。我最近寫(xiě)了一系列關(guān)于CMOS反相器功耗的文章。該系列中的模擬采用了LTspice庫(kù)中預(yù)加載的nmos4和pmos4模型。雖然這種方法完全適合這些文章，但如果我們的主要目標(biāo)是準(zhǔn)確模擬集成電路MOSFET的電學(xué)行為，那么結(jié)合一些外部SPICE模型是有意義的。在本文中，我將介紹下載用于IC設(shè)計(jì)的高級(jí)SPICE模型并在LTspice原理圖中使用它們的過(guò)程。然后，我們將使用下載的模型對(duì)NMOS晶體管進(jìn)
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CMOS反相器開(kāi)關(guān)功耗的仿真

當(dāng)CMOS反相器切換邏輯狀態(tài)時(shí)，由于其充電和放電電流而消耗功率。了解如何在LTspice中模擬這些電流。本系列的第一篇文章解釋了CMOS反相器中兩大類(lèi)功耗：動(dòng)態(tài)，當(dāng)反相器從一種邏輯狀態(tài)變?yōu)榱硪环N時(shí)發(fā)生。靜態(tài)，由穩(wěn)態(tài)運(yùn)行期間流動(dòng)的泄漏電流引起。我們不再進(jìn)一步討論靜態(tài)功耗。相反，本文和下一篇文章將介紹SPICE仿真，以幫助您更徹底地了解逆變器的不同類(lèi)型的動(dòng)態(tài)功耗。本文關(guān)注的是開(kāi)關(guān)功率——當(dāng)輸出電壓變化時(shí)，由于電容充電和放電而消耗的功率。LTspice逆變器的實(shí)現(xiàn)圖1顯示了我們將要使用的基本LTspice逆變器
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CMOS反相器的功耗

本文解釋了CMOS反相器電路中的動(dòng)態(tài)和靜態(tài)功耗。為集成電路提供基本功能的CMOS反相器的發(fā)展是技術(shù)史上的一個(gè)轉(zhuǎn)折點(diǎn)。這種邏輯電路突出了使CMOS特別適合高密度、高性能數(shù)字系統(tǒng)的電氣特性。CMOS的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是它的效率。CMOS邏輯只有在改變狀態(tài)時(shí)才需要電流——簡(jiǎn)單地保持邏輯高或邏輯低電壓的CMOS電路消耗的功率非常小。一般來(lái)說(shuō)，低功耗是一個(gè)理想的功能，當(dāng)你試圖將盡可能多的晶體管功能封裝在一個(gè)小空間中時(shí)，這尤其有益。正如計(jì)算機(jī)CPU愛(ài)好者提醒我們的那樣，充分去除集成電路中的熱量可能很困難。如果沒(méi)有CMOS反相
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Teledyne e2v宣布擴(kuò)展其Flash CMOS圖像傳感器系列

Teledyne Technologies[紐交所代碼：TDY]旗下公司、全球成像解決方案創(chuàng)新者Teledyne e2v宣布擴(kuò)展其Flash? CMOS圖像傳感器系列，推出Flash 2K LSA，該產(chǎn)品專(zhuān)門(mén)適用于需要使用大沙姆角（LSA）的激光輪廓應(yīng)用。Teledyne e2v的Flash系列CMOS圖像傳感器專(zhuān)為三維激光輪廓/位移應(yīng)用和高速/高分辨率檢測(cè)量身定制。Flash 2K LSA是Flash 2K傳感器的衍生產(chǎn)品，適用于需要大沙伊姆弗勒角度的應(yīng)用，其角度響應(yīng)在30°角度下為四倍以上，在
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TTL與CMOS，很基礎(chǔ)但很多人不知道

問(wèn)題引入在工作中，會(huì)遇到OC門(mén)與OD門(mén)的稱(chēng)謂。而感性的認(rèn)識(shí)一般為：OD門(mén)是采用MOS管搭建的電路，壓（電壓）控元器件。OC門(mén)是采用晶體管搭建的電路，流（電流）控元器件。而OD門(mén)的功率損耗一般是小于OC門(mén)，為什么？電平TTL電平：輸出電平：高電平Uoh >=2.4v 低電平Uol <= 0.4v輸入電平：高電平Uih >= 2.0v 低電平 Uil <= 0.8vCMOS電平：輸出電平：高電平Uoh ≈ VCC Uol ≈ GND輸入電平：高電平Uih >= 0.7*VCC U
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CMOS傳感器+高級(jí)色彩算法，快準(zhǔn)穩(wěn)捕獲色彩

用機(jī)器視覺(jué)代替人眼來(lái)判別顏色之間的差異，實(shí)現(xiàn)在線檢測(cè)，大大提高了檢測(cè)效率，同時(shí)對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行全檢，檢測(cè)結(jié)果更為客觀、更準(zhǔn)確。無(wú)論是分撿水果和蔬菜還是檢查運(yùn)動(dòng)鞋，在保證可靠性的前提下高速捕獲準(zhǔn)確的色彩和豐富的細(xì)節(jié)都要求相機(jī)具備某些特征。那么，相機(jī)廠商該如何應(yīng)對(duì)這些需求提出的挑戰(zhàn)呢？Blackfly S和Oryx將新的CMOS傳感器及高級(jí)色彩算法完美結(jié)合，并具備：色彩校正矩陣，用于實(shí)現(xiàn)在任一照明條件下的精確色彩再現(xiàn)；高質(zhì)量圖像，卓越的靈敏度和動(dòng)態(tài)范圍，能夠較大限度提升圖像對(duì)比度；靈活多變的自定義觸發(fā)設(shè)置，準(zhǔn)確觸發(fā)
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CMOS傳感器+高級(jí)色彩算法，快準(zhǔn)穩(wěn)捕獲一致色彩

用機(jī)器視覺(jué)代替人眼來(lái)判別顏色之間的差異，實(shí)現(xiàn)在線檢測(cè)，大大提高了檢測(cè)效率，同時(shí)對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行全檢，檢測(cè)結(jié)果更為客觀、更準(zhǔn)確。問(wèn)：無(wú)論是分撿水果和蔬菜還是檢查運(yùn)動(dòng)鞋，在保證可靠性的前提下高速捕獲準(zhǔn)確的色彩和豐富的細(xì)節(jié)都要求相機(jī)具備某些特征。那么，相機(jī)廠商該如何應(yīng)對(duì)這些需求提出的挑戰(zhàn)呢？答：Blackfly S和Oryx將新的CMOS傳感器及高級(jí)色彩算法完美結(jié)合，并具備：? 色彩校正矩陣，用于實(shí)現(xiàn)在任一照明條件下的精確色彩再現(xiàn)? 高質(zhì)量圖像，卓越的靈敏度和動(dòng)態(tài)范圍，能夠較大限度提升圖像對(duì)比度?
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Dolphin Design宣布首款支持12納米FinFet技術(shù)的硅片成功流片

這款測(cè)試芯片是業(yè)界首款采用12納米FinFet（FF）技術(shù)為音頻IP提供完整解決方案的產(chǎn)品。該芯片完美結(jié)合了高性能、低功耗和優(yōu)化的占板面積，為電池供電應(yīng)用提供卓越的音質(zhì)與功能。這款專(zhuān)用測(cè)試芯片通過(guò)加快產(chǎn)品上市進(jìn)程、提供同類(lèi)最佳性能、及確保穩(wěn)健的產(chǎn)品設(shè)計(jì)，堅(jiān)定客戶(hù)對(duì)Dolphin Design產(chǎn)品的信心，再度證實(shí)了Dolphin Design在混合信號(hào)IP領(lǐng)域的行業(yè)領(lǐng)先地位。2024年2月22日，法國(guó)格勒諾布爾——高性能模擬、混合信號(hào)、處理知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）以及ASIC設(shè)計(jì)的行業(yè)領(lǐng)先供應(yīng)商Dolphin De
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CMOS 2.0 革命

受到威脅的不是摩爾定律本身，而是它所代表的促進(jìn)經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)、科學(xué)進(jìn)步和可持續(xù)創(chuàng)新的能力。
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晶體管進(jìn)入納米片時(shí)代

3D 芯片堆疊對(duì)于補(bǔ)充晶體管的發(fā)展路線圖至關(guān)重要。
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臺(tái)積電熊本新廠建筑工程上個(gè)月末已完成

1月8日消息，據(jù)報(bào)道，日本熊本放送消息，臺(tái)積電日本熊本新廠建筑工程在上個(gè)月末已完成，預(yù)定年內(nèi)投產(chǎn)，目前處于設(shè)備移入進(jìn)機(jī)階段。另外，該廠開(kāi)幕式預(yù)計(jì)在2月24日舉行。公開(kāi)資料顯示，臺(tái)積電日本子公司主要股東包括持股71%的臺(tái)積電、持股近20%的索尼，以及持股約10%的日本電裝（DENSO），熊本第一工廠計(jì)劃生產(chǎn)12/16nm和22/28nm這類(lèi)成熟制程的半導(dǎo)體，初期多數(shù)產(chǎn)能為索尼代工 CMOS 圖像傳感器中采用的數(shù)字圖像處理器（ISP），其余則為電裝代工車(chē)用電子微控制器 MCU，電裝可取得約每月1萬(wàn)片產(chǎn)能。臺(tái)積
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